غشای سرامیکی کاربید سیلیکون نوع جدیدی از غشای غیر آلی غیر اکسیدی است که نه تنها دارای ویژگی های استحکام مکانیکی بالا، توزیع اندازه منافذ متمرکز، مقاومت در برابر شوک حرارتی خوب، عمر طولانی و ...
رسوب¬دهی شیمیایی بخار (CVD: Chemical Vapor Deposition) یک فرایند شیمیایی است که به منظور ایجاد یک لایه با کیفیت و با کارامدی بالا بر روی سطح استفاده می¬شود. این تکنیک. اصولا توسط صنایع تولید کننده قطعات ...
کاربید سیلیکون (SiC) چیست؟ کاربید سیلیکون با نماد شیمیایی SiC یک ماده معدنی جامد کریستالی صنعتی است. از آن به عنوان نیمه هادی و سرامیک استفاده می شود که معمولاً به آن کاربوراندوم می گویند. SiC به طور طبیعی در یک ماده معدنی ...
مشخصات نانو پودر سیلیکون کارباید: سایز نانوذرات سیلیکون کربید: 65-45 نانو مترخلوص نانو پودر کربید سیلیکون: +99%مساحت سطح ویژه نانو ذرات: 80-40 متر مربع بر گرمپتانسیل زتا نانو کربید سیلیکون: 27.8- میلی ولترنگ نانو پودر سیلیکون ...
این ماده به صورت جامد بلوری بوده و نمونه های خالص آن معمولا بی رنگ و شفاف می باشند. در صورتی که به سیلیکون کاربید برخی ناخالصی ها نظیر آلومینیوم و یا نیتروژن اضافه گردد، رنگ آن بسته به میزان ...
در این مقاله برخی از روش های تولید نانوذرات با رسوب دهی بخار شیمیایی و اساس عملکرد آنها توضیح داده خواهد شد. ۱- انواع روش های رسوب دهی شیمیایی بخار. منابع زیادی مانند گرما، پلاسما، لیزر، فوتون ...
المنت سیلیکون کاربید معمولاً یک لوله یا استوانۀ اکستروژن ساختهشده از دانههای بسیار خالص کاربید سیلیسیم است که از طریق فرایند پیوند واکنشی یا تبلور مجدد در دماهای بالای 2150 سانتیگراد (3900 ...
کاربید بور (به انگلیسی: Boron carbide) با فرمول شیمیایی B4C یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن 55.255 g/mol میباشد. Use: Abrasive powder,abrasion resister and refractory,control rods in nuclear reactors,reinforcing agent in composites for military aircraft,and other special ...
دانلود مقالات isi انگلیسی درباره سیلیکون کاربید با ترجمه فارسی - مقالات الزویر ساینس دایرکت Science Direct ... روش تولید این پوشش به صورت CVD یا رسوب دهی بخار شیمیایی است بدین صورت که عملیات پوشش دهی ...
چکیدهلایه نازک نیمرسانای سیلیکون کرباید به دلیل خواص اپتوالکتریکی، مکانیکی، حرارتی بسیار مورد توجه قرار گرفته است. این ماده با روشهای مختلفی از جمله pecvd,lpcvd,hwcvd و روشهای دیگر لایه نشانی میشود.روش hwcvd روشی مبتنی بر سیم ...
پوشش tcn با مورفولوژی کریستالی فیبری متراکم را می توان با رسوب بخار شیمیایی دمای متوسط (MT-CVD) در 700 ~ 900 ℃ به دست آورد. ضخامت پوشش می تواند به 8 ~ 10μm برسد و می تواند a2o3、قلع بر روی لایه سطحی با فناوری ...
بنابراین پراکندگی کاربید سیلیکون به صورت نقطه ایزوالکتریک اسیدی است. سیلانول یونهای هیدروژن را جذب میکند و سطح ذرات را بار مثبت میکند و بنابراین پتانسیل زتا به یک مقدار مثبت تبدیل میشود.
روش رسوبدهی شیمیایی از فاز بخار، یک روش کاربردی در پوششدهی سطوح مختلف برای بهبود خواص مکانیکی و مقاومت به خوردگی سطوح است. در این مقاله به بررسی اصول و مبانی، کاربردها، مزایا و معایب ...
رسوب دهی شیمیایی بخار (Chemical Vapor Deposition (CVD)) یک فرایند شیمیایی است که به منظور ایجاد لایههایی با کاربردهای گوناگون بر روی سطوح مختلف استفاده میشود. در این روش لایه نشانی ، سطح مورد نظر ...
شرایط ذخیره سازی نانوپودر کاربید سیلیکون (SiC): اتصال مجدد مرطوب بر عملکرد پراکندگی و استفاده از اثرات آن تأثیر می گذارد ، بنابراین ، این محصول باید در خلا بسته شود و در اتاق خشک و خنک نگهداری ...
کاربید سیلیکون اولین بار توسط Acheson در سال 1892هنگامی که وی قصد سنتز الماس را داشت؛ به طور تصادفی کشف شد. وی فکر می کرد که این ماده ی جدید ترکیبی از کربن و آلومینا است و به همین دلیل آن را ...
مقاومت شیمیایی: سیلیکون در برابر طیف وسیعی از مواد شیمیایی از جمله اسیدها، بازها، حلال ها و روغن ها مقاوم است. این خاصیت آن را برای استفاده در صنایع شیمیایی، داروسازی و خودروسازی مناسب می کند.
روش رسوب دهی شیمیایی از فاز بخار به کمک پلاسما (pacvd یا pecvd) اولین بار در دهه ی ۱۹۶۰ برای کاربردهای نیمه رسانا توسعه داده شد و استفاده آن برای رسوب نیترید سیلسیم (سیلیکون نیترید) بود.
اینها شامل فراصوت و سانتریفیوژ گرافیت در یک مایع برای ایجاد پراکندگی گرافن، سنتز از شکر، به نام "روش تانگ لائو"، کاهش کاربید سیلیکون و رشد همپایه توسط رسوب شیمیایی بخار (CVD) است. گرافن نه ...
رسوب دهی شیمیایی بخار (cvd) یکی از کاربردی ترین متد ها در تهیه سطوح ویژه جهت ساخت تجهیزات با فناوری بالاست. در این مقاله سعی بر این است که توجه خود را بر روی رسوب دهی نیمه رساناها، برخی فلزات و در ...
سیلیسیم کربید، سیلیکون کربید یا کاربوراندم با فرمول شیمیایی SiC، یکی از مواد دیرگداز و نیمه رسانا است که بهصورت خام در طبیعت یافت نمیشود. این ماده بهصورت مصنوعی ساخته (سنتز) میشود. کاربرد آن در ساخت محصولات دیرگداز ...
کامپوزیت های زمینه سرامیکی تنها کامپوزیت هایی هستند که بالای ۹۰۰ درجه سانتیگراد استحکام خود را حفظ می کنند. کامپوزیت های زمینه سرامیکی (CMCs) نوع خاصی از مواد کامپوزیت هستند که در آن هم تقویت ...
روش تولید این پوشش به صورت cvd یا رسوب دهی بخار شیمیایی است بدین صورت که عملیات پوشش دهی توسط جریان کربن و وجود سیلیکون در حضور گازی بی اثر (مثل هیدروژن خالص و. . .
سیلیسیم کاربید چیست؟. سیلیسیم کاربید، ترکیب کریستالی بسیار سخت و مصنوعی از سیلیکون و کربن با فرمول شیمیاییSiC است. سیلیسیم کاربید توسط مخترع آمریکایی ادوارد جی کشف شد در سال 1891 در حین تلاش ...
آجرهای نسوز سیلیکون کاربید با آلومینا بالا. آجر نسوز کاربید سیلیکون آلومینا بالا دارای محتوای بالاتری است Al2O3. دمای فرآیند پخت حدود 1370-1480 درجه سانتیگراد (2498-2696 ℉) است.
اخبار: تامین کنندگان
سیلیکون کارباید (carborundum) با نماد شیمیایی SiC یک ماده معدنی جامد بلوری است که در صنایع مختلف از آن به عنوان نیمه هادی و سرامیک استفاده میشود. این ماده شکننده بوده و صرفا با تکنیک سنگ زنی الماس ...
نفوذ دهی بخار شیمیایی ... یک تکنیک مشابه با این روش است با این تفاوت که فرایند رسوب دهی در cvd بر روی سطوح بالک داغ انجام می گیرد ، در حالی که فرایند نفوذ دهی ... سیلیکون کاربید ch 3 sicl 3-h 2: نزدیک به 1000 ...
همچنین بخار شیمیایی سیلیکون کاربید رسوب یافته به نام CVD Silicon Carbide وجود دارد که یک شکل کاملاً خالص این ترکیب می باشد. ویژگی های کاربردی سیلیکون کارباید
اصل اساسی رسوب بخار فیزیکی را می توان به سه مرحله فرآیند تقسیم کرد: (1) گازسیون مواد غربال: حتی اگر ماده غرقابروی بخار شده یا پرتاب شود، یعنی منبع گازسیون از طریق مواد غربالگری. (2) مهاجرت از اتم ...